![同方光电科技有限公司](http://img.czvv.com/logo/58aabf41637bf0645f2a8ed9/58aabf41637bf0645f2a8ed9.png)
同方光电科技有限公司 main business:高亮度发光二极管(LED)外延芯片的生产;高亮度发光二极管(LED)外延芯片的开发和销售;发光二极管(LED)封装产品的开发、组装和销售;光机电一体化设备的开发、组装和销售;高科技项目的咨询、高新技术的转让与服务;工程施工总承包;专业承包;货物进出口、技术进出口、代理进出口。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 110000011371379
- 911101136804534757
- 开业
- 有限责任公司(法人独资)
- 2008年10月07日
- 刘刚
- 31600.000000
- 2008年10月07日 至 2058年10月06日
- 北京市工商行政管理局顺义分局
- 2016年12月20日
- 北京市顺义区竺园四街1号(天竺综合保税区2幢3-4门)
- 高亮度发光二极管(LED)外延芯片的生产;高亮度发光二极管(LED)外延芯片的开发和销售;发光二极管(LED)封装产品的开发、组装和销售;光机电一体化设备的开发、组装和销售;高科技项目的咨询、高新技术的转让与服务;工程施工总承包;专业承包;货物进出口、技术进出口、代理进出口。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN102738314B | 一种用于发光二极管衬底剥离的装置 | 2014.12.03 | 一种用于发光二极管衬底剥离的装置,涉及半导体发光二极管技术领域。本发明的剥离结构包括倒置的发光二极管 |
2 | CN102709427B | 一种垂直结构发光二极管的制备方法 | 2014.12.03 | 一种垂直结构发光二极管的制备方法,涉及光电技术领域。本发明步骤为:<img file="dest_p |
3 | CN102544250B | 一种GaN基发光二极管的制作方法 | 2014.05.07 | 一种GaN基发光二极管的制作方法,涉及光电技术领域。本发明方法步骤为:①在蓝宝石衬底上外延发光结构; |
4 | CN102544251B | 一种大功率垂直发光二极管的制造方法 | 2014.05.07 | 一种大功率垂直发光二极管的制造方法,涉及半导体光电器件制造技术领域。本发明的步骤为:1)在蓝宝石基板 |
5 | CN102709406B | 一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法 | 2014.04.16 | 一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,涉及制备大功率垂直结构GaN基发光二极管中衬底转移技术领 |
6 | CN103137793A | 一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法 | 2013.06.05 | 一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法,涉及半导体光电器件。本发明方法包括步骤:①在蓝宝 |
7 | CN102738314A | 一种用于发光二极管衬底剥离的装置 | 2012.10.17 | 一种用于发光二极管衬底剥离的装置,涉及半导体发光二极管技术领域。本发明的剥离结构包括倒置的发光二极管 |
8 | CN102728562A | 一种用于垂直发光二极管的测试分选装置 | 2012.10.17 | 一种用于垂直发光二极管的测试分选装置,涉及光电技术领域。本发明包括待测试盘、测试盘、分选盘和测试系统 |
9 | CN102709405A | 一种发光二极管金属基板的制作方法 | 2012.10.03 | 一种发光二极管金属基板的制作方法,涉及光电技术领域中的衬底转移技术。本发明的方法步骤为:<img f |
10 | CN102709406A | 一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法 | 2012.10.03 | 一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,涉及制备大功率垂直结构GaN基发光二极管中衬底转移技术领 |
11 | CN102709430A | 一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法 | 2012.10.03 | 一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括衬底上方的依次由N型 |
12 | CN102709427A | 一种垂直结构发光二极管及其制备方法 | 2012.10.03 | 一种垂直结构发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括衬底,在衬底上方依次叠加的 |
13 | CN102630511A | 一种用于植物生长的LED全谱可调光源装置 | 2012.08.15 | 一种用于植物生长的LED全谱可调光源装置,涉及半导体固态照明光源。本发明中的电源为控制系统和驱动电路 |
14 | CN102637782A | 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法 | 2012.08.15 | 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法,涉及光电技术领域。本发明的步骤为:<img file="de |
15 | CN102637798A | 一种发光二极管结构及其制作方法 | 2012.08.15 | 一种发光二极管结构及其制作方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括衬底以及外延生长于衬底表面上的 |
16 | CN102637783A | 一种垂直结构白光发光二极管及其制造方法 | 2012.08.15 | 一种垂直结构白光发光二极管及其制造方法,涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。本发明发光二极管包 |
17 | CN102569577A | 一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法 | 2012.07.11 | 一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬 |
18 | CN102569544A | 一种制作独立发光二极管的方法 | 2012.07.11 | 一种制作独立发光二极管的方法,涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为:①在蓝宝石衬底上形成外延层;②在 |
19 | CN102569588A | 一种能提高光提取效率的发光二极管及其制备方法 | 2012.07.11 | 一种能提高光提取效率的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括基板以及置于基板 |
20 | CN102569352A | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 | 2012.07.11 | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,涉及光电技术领域。本发明包括蓝宝石基板和蓝宝石基板上方的氮化 |
21 | CN102565654A | 一种LED降额曲线的测量系统和测量方法 | 2012.07.11 | 一种LED降额曲线的测量系统和测量方法,属于半导体光电器件的热学性能检测技术领域。本发明的待测LED |
22 | CN102569330A | 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法 | 2012.07.11 | 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管中包括一个主发光二极管和一 |
23 | CN102544250A | 一种GaN基发光二极管的制作方法 | 2012.07.04 | 一种GaN基发光二极管的制作方法,涉及光电技术领域。本发明方法步骤为:①在蓝宝石衬底上外延发光结构; |
24 | CN102544251A | 一种大功率垂直发光二极管的制造方法 | 2012.07.04 | 一种大功率垂直发光二极管的制造方法,涉及半导体光电器件制造技术领域。本发明的步骤为:1)在蓝宝石基板 |
25 | CN102544288A | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法 | 2012.07.04 | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以 |
26 | CN102544048A | 一种大功率GaN基发光二极管及其制作方法 | 2012.07.04 | 一种大功率GaN基发光二极管及其制作方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管发光结构上方为透明导电层 |
27 | CN102479903A | 一种能增强横向电流扩展的发光二极管 | 2012.05.30 | 一种能增强横向电流扩展的发光二极管,涉及光电技术领域。本发明包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导 |
28 | CN102479894A | 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法 | 2012.05.30 | 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置 |
29 | CN102456787A | 一种GaN基发光二极管 | 2012.05.16 | 一种GaN基发光二极管,涉及光电技术领域。本发明包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导体层、发光结 |
30 | CN202070497U | 用于垂直发光二极管的测试分选装置 | 2011.12.14 | 用于垂直发光二极管的测试分选装置,涉及光电技术领域。本实用新型包括待测试盘、测试盘、分选盘和测试系统 |
31 | CN202043326U | 一种用于植物生长的LED全谱可调光源设备 | 2011.11.16 | 一种用于植物生长的LED全谱可调光源设备,涉及半导体固态照明光源。本实用新型中的电源为控制系统和驱动 |
32 | CN202042510U | 一种垂直结构发光二极管 | 2011.11.16 | 一种垂直结构发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底,在衬底上方依次叠加的反射金属 |
33 | CN202042508U | 用于发光二极管衬底剥离的装置 | 2011.11.16 | 用于发光二极管衬底剥离的装置,涉及半导体发光二极管技术领域。本实用新型的剥离结构包括倒置的发光二极管 |
34 | CN202009030U | 一种垂直结构白光发光二极管 | 2011.10.12 | 一种垂直结构白光发光二极管,涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。本实用新型发光二极管包括从下至 |
35 | CN202008518U | 一种LED降额曲线的测量装置 | 2011.10.12 | 一种LED降额曲线的测量装置,属于半导体光电器件的热学性能检测技术领域。本实用新型的待测LED、热电 |
36 | CN202009029U | 能增强横向电流扩展的发光二极管 | 2011.10.12 | 能增强横向电流扩展的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导 |
37 | CN202009028U | 以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 | 2011.10.12 | 以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,涉及光电技术领域。本实用新型包括蓝宝石基板和蓝宝石基板上方的氮化 |
38 | CN201994331U | 一种提高发光效率的发光二极管 | 2011.09.28 | 一种提高发光效率的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底上方的依次由N型半导体层 |
39 | CN201956386U | 一种发光二极管结构 | 2011.08.31 | 一种发光二极管结构,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底以及外延生长于衬底表面上的发光结构 |
40 | CN201927606U | 一种带静电保护的发光二极管 | 2011.08.10 | 一种带静电保护的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括一个主发光二极管和一个集成的静电损伤保护 |
41 | CN201927631U | 一种GaN基材料的发光二极管 | 2011.08.10 | 一种GaN基材料的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石 |
42 | CN201918418U | 一种能提高光提取效率的发光二极管 | 2011.08.03 | 一种能提高光提取效率的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括基板以及置于基板上方的依次由N型半 |
43 | CN201918385U | 一种大功率GaN基发光二极管 | 2011.08.03 | 一种大功率GaN基发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管发光结构上方为透明导电层,透明导 |
44 | CN201918419U | 一种提高发光效率的发光二极管 | 2011.08.03 | 一种提高发光效率的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的 |
45 | CN201910440U | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管 | 2011.07.27 | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置 |
46 | CN201898145U | GaN基发光二极管 | 2011.07.13 | GaN基发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导体层、发光结 |
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